北京上半年集成电路(芯片)产品进口同比增297%

发布日期:2022-05-27 19:52   来源:未知   阅读:

  据中新网北京报道,今年1-7月,北京进出口16853.9亿元,同比增长26.9%。其中,出口3499.2亿元、进口13354.7亿元,进出口、出口同比分别增长26.9%、23.2%。

  据介绍,今年,北京地区外贸回暖高于预期,进出口规模和出口规模均创下历史同期最高水平,月度增速已连续五个月反超全国月度增速。其中,出口规模超出2019年同期四分之一,进口恢复至2019年同期水平,且增速持续反超全国3.5个百分点(北京市进口增长27.9%)。

  7月当月,进出口2600.6亿元,同比增长31.4%。其中,出口566.7亿元,同比增长57.9%,是全国增速的2.4倍;进口结构持续优化,同比增长反超全国1.2个百分点。进口额2033.9亿元,同比增长25.6%。

  此外,北京高新机电产品进口高速增长。上半年,北京机电产品进口2619亿元,同比增长39.2%。高新技术产品进口1077.5亿元,同比增长22.9%。其中,计量检测分析自控仪器、集成电路(芯片)进口同比分别增长6.7%、29.7%,为机电产品和高精尖设备出口奠定基础。

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  Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度开关

  Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度开关IC已扩展至220W新款高压氮化镓开关可将效率提升至95%,设计出超紧凑的USB PD 3.1适配器美国加利福尼亚州圣何塞,2022年5月25日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations今天宣布InnoSwitch™4-CZ系列高频率、零电压开关(ZVS)反激式开关IC再添新品。当与Power Integrations的ClampZero™有源钳位IC或者最近发布的HiperPFS™-5氮化镓功率因数校正IC搭配使用时,新IC可轻松符合最新的USB PD 3.1标准,设计出高达220W的适配器和充电器。“

  已扩展至220W /

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  当地时间5月24日,IC Insights根据《麦克林报告》摘编称,在过去 30 年中,DRAM 市场的特点是经历了惊人的增长时期和毁灭性的崩溃年份。近年来,DRAM市场在2019年下跌37%,但在2021年飙升42%。无论是什么原因,“繁荣、萧条”的周期使主要的DRAM供应商的数量从1990年代中期的20家降至现在的6家。2021年,三家最大的供应商三星、SK海力士和美光总共占有94%的DRAM市场份额。 总部设在韩国的三星和SK海力士去年占了全球DRAM销售的71.3%。报告称,凭借44%的市场份额,三星在2021年仍然是全球最大的DRAM供应商,销售额达到近419亿美元。 去年,三星在多个方面推进其DRAM业务,包括在2020

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  ROHM开发出符合功能安全标准“ISO 26262”的、用于下一代车载摄像头模块的电源管理IC在支持异常状态通知机构的PMIC中,实现3.5mm见方的业界超小尺寸全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向在ADAS(高级驾驶辅助系统)等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块(以下简称“车载摄像头”),开发出符合ISO 26262*1及其ASIL-B*1标准的PMIC*2 BD868xxMUF-C(BD868C0MUF-C、BD868D0MUF-C)。新产品能够满足严格的功能安全要求,使配备ADAS的下一代汽车所需的安全设计更加容易。此外,在仅为3.5mm×3.5mm的封装中,还内置有车载摄像头所需的4个电源系统(DC/DC*

  集微网消息,据外媒报道,华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上,发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧(IGZO)材料的CAA(Channel-All-Around)构型晶体管,具有出色的温度稳定性和可靠性。根据此前报道,在去年举办的IEDM 2021上,中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队,首次提出了新型垂直环形沟道器件结构(CAA),该结构有效减小了器件面积,且支持多层堆叠,通过将上下两个CAA器件直接相连,每个存储单元的尺寸可减小至4F2,使IGZO-DRAM拥有了密度优势,有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。

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